Photoelectric converter and fabrication thereof



PROBLEM TO BE SOLVED: To simplify the structure of a fabrication system by separating a process for forming an amorphous semiconductor layer and a microcrystalline semiconductor layer from a process, for controlling the conductivity type by adding impurities to the microcrystalline semiconductor layer. SOLUTION: A first electrode 102 is formed on a substrate 101, followed by formation of a first microcrystalline silicon layer 103 added with no P or n type conductivity deciding impurity element, a substantially intrinsic amorphous silicon layer 104, and a second microcrystalline silicon layer 105a added with no impurity element for determining p or n type conductivity. Next, a p-type conductivity type deciding impurity element B is implanted into the second microcrystalline silicon layer 105a. Since the implanted element B, as it is, does not act as a p-type impurity element it is subjected to activation process through heat treatment. Thereafter, a second electrode 105 is formed on a second microcrystalline silicon layer 104a. COPYRIGHT: (C)1999,JPO
(57)【要約】 【課題】 不純物ガスを添加せずに微結晶半導体膜と非 晶質半導体膜とを成膜する工程と、微結晶半導体に不純 物元素を注入する工程とを分離して行うことにより、光 電変換装置の生産性を高める。 【解決手段】 第1の電極を形成する工程と、N型また はP型の導電型決定不純物元素を添加しないで第1の微 結晶半導体膜を形成する工程と、実質的に真性な非晶質 半導体膜を形成する工程と、N型またはP型の導電型決 定不純物元素を添加しないで第2の微結晶半導体膜を形 成する工程と、P型の導電型決定不純物元素を、前記第 2の微結晶半導体膜に注入する工程と、前記第1及び第 2の微結晶半導体膜と、実質的に真性な非晶質半導体膜 と、に加熱処理を施す工程と、第2の電極を形成する工 程と、から光電変換装置を作製する。




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