Treatment of silicon seed crystal, silicon seed crystal and production of silicon single crystal

シリコン種結晶の処理方法およびシリコン種結晶ならびにシリコン単結晶の製造方法

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 チョクラルスキー法(CZ法)によるシリコ ン単結晶の成長工程において、ネッキング法、無転位種 付け法のいずれの場合でも、無転位化成功率を低下させ ることなく、単結晶棒の生産性と歩留りを向上させるシ リコン種結晶の処理方法、この処理によって得られたシ リコン種結晶およびこのシリコン種結晶を使用して単結 晶棒を成長させるシリコン単結晶の製造方法を提供す る。 【解決手段】 チョクラルスキー法によるシリコン単結 晶の育成に用いられるシリコン種結晶の処理方法におい て、該シリコン種結晶をシリコン融液に接触させる以前 に、シリコン種結晶表面の酸化膜を除去しておく方法で あって、特にシリコン種結晶に少なくともフッ酸水溶液 処理を施すか、種結晶を引上げ機炉内の種ホルダに保持 した後、高温、不活性ガス雰囲気下のエッチング作用に より酸化膜を除去する方法である。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for treating a silicon seed crystal, capable of improving the productivity and yield of a single crystal rod without reducing a dislocation-free success ratio in the case of a necking method and a dislocation-free seeding method in a process for growing a silicon single crystal by czochralski method(CZ method), to obtain the silicon seed crystal prepared by the treatment and to provide a method for producing a silicon single crystal by growing a single crystal rod by using the silicon seed crystal. SOLUTION: In this method for treating a silicon seed crystal useful for growing a silicon single crystal by a czochralski method, before the silicon seed crystal is brought into contact with a silicon melt, an oxide film on the surface of the silicon seed crystal is removed. Especially the silicon seed crystal is treated with an aqueous solution of hydrofluoric acid or the seed crystal is retained by a seed holder in a pulling up machine furnace and an oxide film is removed by etching action at a high temperature in an inert gas atmosphere. COPYRIGHT: (C)1999,JPO

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